全球公认的卓越的模拟/混合信号晶圆代工厂X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB)与莱布尼茨IHP研究所今天宣布将推出130纳米创新SiGe BiCMOS进一步扩大与莱布尼茨高性能微电子研究所的平台（IHP）长期合作关系。作为新协议的一部分，X-FAB将获得IHP的尖端SiGe技术授权将该技术的性能优势带给大规模市场的客户群体。

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130纳米SiGe BiCMOS平台

新建的130纳米平台显著加强X-FAB技术组合为满足下一代通信要求所需的更高性能参数提供了独特的解决方案。受益于该技术的领域包括Wi-Fi 6（和未来的Wi-Fi 7)接入点和下一代蜂窝基础设施(尤其是5)G 毫米波和新兴6G标准)和车对车（V2V）通信技术还在 100GHz适用于汽车和消费类应用的雷达系统开发起着关键作用。

当时，该许可协议延续了2021年启动的合作X-FAB添加到铜后道工艺中IHP的SG13S和SG13G在前端技术中，提高可支持的带宽数据。关于这一创新SiGe平台，X-FAB原型开发项目将于2022年第四季度开始。早期准入的PDK原型设计可以实现，量产将在X-FAB法国工厂位于巴黎附近。

IHP科学总监Gerhard Kahmen教授说：将IHP的HBTs整合至X-FAB的RF平台将为客户创造真正独特的平台SiGe BiCMOS技术肯定会带来实际的性能优势。我们之间的技术转让已经成为工业和研究机构共同取得突出成就的完美例子。

“X-FAB和IHP在整合自身优势资源开发前沿半导体解决方案领域取得突出成绩；双方针对SiGe最新的技术协议将这一实践带入了令人兴奋的新阶段。”X-FAB RF技术总监Greg U'Ren医生说：这是双方的进一步进展SiGe BiCMOS相关创新的起点涵盖了工业自动化、消费电子、车载等使用案例，将促进未来几年通信领域的重新定义。”

缩略语：

BiCMOS 半导体双极互补金属氧化物

HBT 异质结双极晶体管

mmW 毫米波

PDK 工艺设计套件

RF 射频

SiGe 锗硅

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