

- 制造厂商:Lattice(莱迪思)
- 类别封装:集成电路(IC) > 嵌入式 > FPGA(现场可编程门阵列),封装:900-FPBGA(31x31)
- 技术参数:IC FPGA 410 I/O 900FBGA
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LFE2M50E-7FN900C技术参数:
LFE2M50E-7FN900C是莱迪思半导体(Lattice Semiconductor)ECP2M系列中的一款高性能、低功耗FPGA产品。该器件基于先进的65纳米工艺技术构建,其核心架构融合了优化的可编程逻辑单元、丰富的嵌入式存储资源以及高性能的DSP模块,旨在为复杂的数字逻辑设计提供灵活且高效的硬件平台。其内部包含6000个逻辑阵列块(LAB),总计48000个逻辑单元,为设计者提供了充足的逻辑资源来实现从简单接口桥接到复杂算法处理的各种功能。
在功能特性方面,该芯片的一个突出优势是其集成了高达4246528位的嵌入式RAM块,这些分布式和块状RAM资源支持多种配置模式,能够高效地实现数据缓冲、FIFO以及查找表等功能,显著减轻了对外部存储器的依赖。其410个用户I/O接口支持多种单端和差分I/O标准,如LVCMOS、LVTTL、LVDS等,确保了与各类外围器件的灵活连接能力。供电电压范围设计为1.14V至1.26V,结合其固有的低功耗架构,使其非常适用于对功耗敏感的应用环境。其工作温度范围为0°C至85°C(结温),并采用900-BBGA的表面贴装封装,保证了在工业级应用中的可靠性与稳定性。
该器件提供了强大的系统集成能力,其丰富的逻辑资源和I/O数量使其能够胜任协议桥接、信号处理、电机控制等核心任务。在实际部署中,工程师可以通过专业的Lattice代理商获取完整的技术支持、开发工具链以及参考设计,以加速产品开发进程。其ECP2M系列特有的功能模块,如增强的DSP slice和灵活的时钟管理单元,进一步提升了其在实时数据处理和时序控制方面的性能。
在应用场景上,LFE2M50E-7FN900C凭借其高集成度与平衡的性能功耗比,广泛应用于通信基础设施、工业自动化、医疗仪器以及高端消费电子等领域。例如,在通信系统中可用于实现数据包处理与接口转换;在工业控制中可作为主控制器或协处理器,完成复杂的运动控制算法;其可靠的性能也使其成为视频处理、测试测量设备等需要大量并行计算和高速数据交换场景的理想选择。
- 型号:LFE2M50E-7FN900C
- 品牌:Lattice Semiconductor Corporation (Lattice,莱迪思半导体)
- 封装:900-FPBGA(31x31)
- 类目:集成电路(IC) > 嵌入式 > FPGA(现场可编程门阵列)
- 描述:IC FPGA 410 I/O 900FBGA
- 包装:托盘
- 产品状态:在售
- 南皇电子 可编程:未验证
- LAB/CLB 数:6000
- 逻辑元件/单元数:48000
- 总 RAM 位数:4246528
- I/O 数:410
- 栅极数:-
- 电压 - 供电:1.14V ~ 1.26V
- 安装类型:表面贴装型
- 工作温度:0°C ~ 85°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 封装/外壳:900-BBGA
- 供应商器件封装:900-FPBGA(31x31)
- 提供LFE2M50E-7FN900C的实时报价、行情走势等,Lattice代理商货源直供现货当天发货!
LFE2M50E-7FN900C是Lattice Semiconductor公司ECP2M系列的一款有源FPGA,采用900-BBGA表面贴装封装。该器件集成了48000个逻辑单元和6000个LAB/CLB,提供了强大的可编程逻辑能力,同时内置了高达4.2兆位的分布式RAM资源,支持复杂的数据缓冲和存储需求。
其核心特性包括410个可配置I/O,支持广泛的接口标准,以及1.14V至1.26V的低工作电压范围,确保了出色的功耗表现。该芯片设计用于0°C至85°C的工业温度范围,适用于需要高可靠性、高集成度及灵活可重构性的嵌入式系统设计,是通信、工业控制和数据处理等应用的理想硬件平台。
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