

- 制造厂商:Lattice(莱迪思)
- 类别封装:集成电路(IC) > 嵌入式 > FPGA(现场可编程门阵列),封装:1152-FPBGA(35x35)
- 技术参数:IC FPGA 520 I/O 1152FBGA
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LFE2M100SE-7FN1152C技术参数:
LFE2M100SE-7FN1152C是莱迪思半导体(Lattice Semiconductor)ECP2M系列中的一款高性能现场可编程门阵列(FPGA)。该器件基于成熟的90nm工艺构建,集成了高密度逻辑、丰富的嵌入式存储资源和灵活的I/O接口,旨在为复杂数字系统设计提供可编程的硬件平台。其核心架构围绕一个包含11875个可编程逻辑块(LAB/CLB)的阵列展开,这些逻辑块共同构成了95000个逻辑单元,为并行处理和复杂状态机实现提供了坚实的基础。同时,器件内部集成了高达5435392位的分布式和块状RAM资源,支持高速数据缓冲、查找表以及软处理器代码存储等多种应用,显著提升了数据处理的本地性和效率。
在功能特性方面,该芯片展现了强大的系统集成能力。其520个可编程I/O引脚支持多种单端和差分I/O标准,如LVCMOS、LVTTL、LVDS、SSTL等,能够灵活地与各类外设、存储器和处理器接口连接。器件工作在1.2V核心电压下,功耗表现经过优化,适合对能效有要求的应用场景。其工作温度范围覆盖0°C至85°C(结温),确保了在商业级温度环境下的稳定运行。该器件采用1152引脚、细间距球栅阵列(FBGA)封装,以表面贴装形式提供高密度的互连能力,这对于需要大量信号连接的高速板级设计至关重要。对于需要稳定供货和技术支持的客户,通过Lattice一级代理可以获得原厂级的服务与资源。
从接口与参数来看,该FPGA提供了高度的设计灵活性。丰富的逻辑和存储资源使其能够实现从复杂胶合逻辑、总线桥接到完整协议处理引擎等多种功能。其I/O数量充足,足以应对多通道数据采集、视频处理或网络交换等需要大量并行接口的应用。供电电压范围(1.14V至1.26V)和商业级温度范围定义了其典型的工作边界,设计者需在此范围内进行电源和热管理规划。
在应用场景上,LFE2M100SE-7FN1152C非常适合用于通信基础设施、工业自动化、高端消费电子以及测试测量设备等领域。具体而言,它可以作为协议转换器、图像信号预处理单元、实时控制系统的逻辑核心,或者用于实现定制化的数字信号处理算法。其高逻辑密度和嵌入式内存尤其适合需要大量数据暂存和快速处理的场合,例如视频帧缓冲、网络数据包缓存或复杂的算法状态机。尽管其零件状态标注为“不适用于新设计”,表明莱迪思可能已转向更新的产品系列,但这并不影响其在现有成熟系统和特定延续性项目中的可靠性与价值,它依然是实现特定功能、验证设计概念或进行原型开发的坚实硬件基础。
- 型号:LFE2M100SE-7FN1152C
- 品牌:Lattice Semiconductor Corporation (Lattice,莱迪思半导体)
- 封装:1152-FPBGA(35x35)
- 类目:集成电路(IC) > 嵌入式 > FPGA(现场可编程门阵列)
- 描述:IC FPGA 520 I/O 1152FBGA
- 包装:托盘
- 产品状态:不适用于新设计
- 南皇电子 可编程:未验证
- LAB/CLB 数:11875
- 逻辑元件/单元数:95000
- 总 RAM 位数:5435392
- I/O 数:520
- 栅极数:-
- 电压 - 供电:1.14V ~ 1.26V
- 安装类型:表面贴装型
- 工作温度:0°C ~ 85°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 封装/外壳:1152-BBGA
- 供应商器件封装:1152-FPBGA(35x35)
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LFE2M100SE-7FN1152C是Lattice Semiconductor公司ECP2M系列的一款高密度FPGA。该器件集成了95000个逻辑单元和11875个逻辑块,提供了强大的可编程逻辑处理能力。同时,其内部集成的5435392位RAM资源为数据密集型应用提供了充足的片上存储空间。
该芯片配备了520个可编程I/O,支持广泛的接口标准,能够灵活适配多种外围设备与系统总线。其采用1.2V核心供电,工作于商业级温度范围(0°C至85°C),并以1152引脚FBGA封装形式提供,适用于需要高集成度与大量信号连接的设计场景。
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