LAMXO2280E-3TN100E

作为Lattice Semiconductor（莱迪思半导体）LA-MachXO系列中的高性能产品，LAMXO2280E-3TN100E采用先进的CPLD（复杂可编程逻辑器件）架构，集成了1140个宏单元，为复杂逻辑设计提供了强大的处理能力。该芯片采用系统内可编程技术，支持现场更新，大大提高了设计的灵活性和可维护性。

LAMXO2280E-3TN100E的核心优势在于其卓越的性能特性，5.1ns的最小延迟时间确保了高速信号处理能力，适用于对时序要求严苛的应用场景。芯片工作电压范围为1.14V至1.26V，低功耗设计使其成为移动设备和电池供电应用的理想选择。作为Lattice代理商推荐的解决方案，这款产品在保持高性能的同时实现了功耗与性能的完美平衡。

该器件提供73个I/O接口，采用100-LQFP封装，支持表面贴装工艺，便于各种PCB设计。宽工作温度范围（-40°C至125°C）确保了产品在恶劣环境下的稳定性和可靠性。系统内可编程特性使得设备能够在不离开电路板的情况下进行升级，大大降低了维护成本和停机时间。

LAMXO2280E-3TN100E在多个领域展现出广泛的应用潜力。在通信设备中，它可用于实现协议转换和信号处理；在工业自动化领域，其高可靠性和实时处理能力使其成为控制系统的理想选择；在消费电子中，低功耗特性使其适用于便携式设备。此外，其可重构性使其成为原型开发和功能验证的强大工具，能够加速产品上市时间并降低开发成本。

• 型号:LAMXO2280E-3TN100E
• 品牌:Lattice Semiconductor Corporation (Lattice,莱迪思半导体)
• 封装:100-TQFP（14x14）
• 类目:集成电路（IC） > 嵌入式 > CPLD（复杂可编程逻辑器件）
• 描述:IC CPLD 1140MC 5.1NS 100TQFP
• 包装:托盘
• 产品状态:在售
• 南皇电子 可编程:未验证
• 可编程类型:系统内可编程
• 延迟时间 tpd(1) 最大值:5.1 ns
• 供电电压 - 内部:1.14V ~ 1.26V
• 逻辑元件/块数:-
• 宏单元数:1140
• 栅极数:-
• I/O 数:73
• 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:100-LQFP
• 供应商器件封装:100-TQFP（14x14）
• 提供LAMXO2280E-3TN100E的实时报价、行情走势等，Lattice代理商货源直供现货当天发货！

LAMXO2280E-3TN100E作为Lattice Semiconductor的LA-MachXO系列CPLD器件，集成了1140个宏单元和73个I/O接口，提供强大的逻辑处理能力。5.1ns的最小延迟时间和系统内可编程特性使其能够满足高速应用需求，同时保持设计灵活性。

该器件采用100-LQFP封装，支持表面贴装工艺，工作温度范围宽广（-40°C至125°C），适应各种严苛环境。1.14V至1.26V的低工作电压范围使其成为电池供电应用的理想选择，在保持高性能的同时实现了低功耗设计。

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